Альянс компаний, куда входят IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, GlobalFoundries, Infineon Technologies, Samsung
и STMicroelectronics, приступает к разработке 28-нанометрового процесса
массового производства экономичных микросхем на базе МДП-структур с
диэлектриком с высоким значением диэлектрической постоянной и
металлическим затвором (HKMG). Микросхемы на основе HKMG потребляют
меньше энергии, что особенно важно для мобильных устройств.
Первые попытки производства по 28-нанометровому процессу планируются на
вторую половину 2010 года. Создание 32-нанометрового процесса дало
важный опыт реализации технологии HKMG и компании намерены обеспечить
ясный путь миграции с 32 нм на 28 нм. Начинать разработку микросхем
можно уже сейчас, а затем, без необходимости радикальной переработки
схемы, перевести производство на 28-нанометровый процесс.
Ранее была проведена аналогичная совместная разработка
32-нанометровой технологии. В феврале компания ARM и альянс Common
Platform (IBM, Chartered и Samsung) представили выполненный по 32-нанометровой технологии HKMG процессор ARM Cortex.
Источник: http://www.osp.ru/news/2009/0420/7616001/?rss_feed=123456
|